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60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching

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ISC

无锡固电

20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件:193.72 Kbytes Page:2 Pages

CHONGQING

平伟实业

更新时间:2025-12-23 23:01:01
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原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百

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    CEM9435,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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