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CEB300N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 300A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Package • miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation • Low RDS(on) and QG • Avalanche Rated • Low Package Inductance • Fast Intrinsic Rectifier Advantages • H

IXYS

艾赛斯

Polar Power MOSFET HiPerFET

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Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-22 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
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NA/
3310
原装现货,当天可交货,原型号开票
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    CEM9435,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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