型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CEB01N6G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

CEB01N6G

N Channel MOSFET

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:85.87 Kbytes Page:4 Pages

CET

华瑞

Inductive Sensors

BES 517-398-NO-C-05 Basic features Approval/Conformity CE UKCA cULus WEEE Basic standard IEC 60947-5-2

Balluff

巴鲁夫

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 650V, 0.9A, RDS(ON) = 15 Ω @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 600V, 1.1A, RDS(ON) = 12W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

CEB01N6G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CEB01N6G

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-11-1 10:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
TO-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
CET
24+
TO-263
90000
进口原装现货假一罚十价格合理
CET/華瑞
23+
TO-263
122999
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CET/華瑞
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
CET/華瑞
24+
NA/
5280
原装现货,当天可交货,原型号开票
CET
24+
50000
CET
23+
TO-263
7300
专注配单,只做原装进口现货
CET
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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