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CDST226-G

SMD Switching Diode

Features - Power dissipation: 150mW (@TA=25 °C) Mechanical data - Case: SOT-23 - Terminals: Solder plated, solderable per MILSTD-750, Method 2026. - Marking: C3

COMCHIP

典琦

CDST226-G

SMD Switching Diode

文件:86.26 Kbytes Page:2 Pages

COMCHIP

典琦

CDST226-G

Switching Diodes Array

COMCHIP

典琦

SMD Switching Diode

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COMCHIP

典琦

NPN video transistor

DESCRIPTION NPN silicon transistor encapsulated in a 4-lead plastic SOT223 package. APPLICATIONS • Primarily intended for cascode output and buffer stages in high resolution colour monitors.

PHILIPS

飞利浦

Germanium PNP Transistor Audio Power Amp

Description: The NTE226 is a Germanium PNP transistor in a TO66 type package designed for high–fidelity, high–power output applications. Absolute Maximum Ratings: Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . 35V Collector–Emitter Voltage (RB

NTE

SILICON TRIACS

Features ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 50 mA (Quadrants 1 - 3)

POINN

SILICON TRIACS

Features ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 50 mA (Quadrants 1 - 3)

POINN

SILICON TRIACS

Features ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 50 mA (Quadrants 1 - 3)

POINN

CDST226-G产品属性

  • 类型

    描述

  • VF(V):

    1.2

  • IF(mA):

    100

  • Trr(ns):

    4

  • IR(uA):

    0.5

  • Status:

    Obsolete

  • 封裝型式:

    SOT-23

更新时间:2026-5-18 17:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
2545+
SMD
4560
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
冠坤电子
21+
1000
只做原装鄙视假货15118075546
BOURNS
1632
SOD-323
3015
全新 发货1-2天
PHI
2023+
25
CJ/长电
23+
SOT23-6
600000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
冠坤
24+25+
80000
特价支持实单必成
BOURNS/伯恩斯
25+
90000
全新原装现货
26+
N/A
70000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
BOURNS/伯恩斯
23+
SOD-323
50000
全新原装正品现货,支持订货

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