SMDSchottkyBarrierDiode

Io=100mA VR=45Volts Features Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Lowleakagecurrent(IR=0.1uAtyp.@VR=10V). Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)Standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplat

封装/外壳：1005（2512 公制） 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 100MA 1005 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

SMDSchottkyBarrierDiode

Io=100mA VR=45Volts Features Halogenfree. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Lowleakagecurrent.(IR=0.1uAtyp.@VR=10V) Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)standardpackage,moldedplastic. Termi

封装/外壳：1005（2512 公制） 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 45V 100MA 1005 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

SMDSchottkyBarrierDiode

Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Majoritycarrierconduction. -AEC-Q101Qualified&PPAP.

1/4.3-inch1MPCMOSDigitalImageSensorwithGlobalShutter

Features SuperiorLow−lightandIRPerformance 1/2−lane8/10−bitMIPI AutomaticBlackLevelCalibration(ABLC) HorizontalandVerticalMirroring, WindowingandPixelBinning 5x5StatisticsEngineforOn−chipAuto ExposureControlforAnyProgrammable RegionofInterest(ROI) 

NeonIndicatiors(Neon,LEDandFilamentLamps)

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InductiveSensors

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