| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
34 dB 10-450 MHz 800 mWATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER The RF Line Wideband Linear Amplifier . . . designed for amplifier applications in 50 ohm systems requiring wide bandwidth, low noise and low distortion. This hybrid provides excellent gain stability with temperature and linear amplification as a result of the push–pull circuit design. • Specif | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | ||
34 dB 10-450 MHz 800 mWATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER The RF Line Wideband Linear Amplifier . . . designed for amplifier applications in 50 ohm systems requiring wide bandwidth, low noise and low distortion. This hybrid provides excellent gain stability with temperature and linear amplification as a result of the push–pull circuit design. • Specif | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
18.5 dB 0.35-400 MHz 1000 mWATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER The RF Line Wideband Linear Amplifier Designed for amplifier applications in 50 to 100 ohm systems requiring wide bandwidth, low noise and low distortion. This hybrid provides excellent gain stability with temperature and linear amplification as a result of the push–pull circuit design. • Speci | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
34 dB 10-450 MHz 800 mWATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER | ETC 知名厂家 | ETC | | |
CA2810C 34 dB, 10-450 MHz, 800 mWatt Wideband Linear Amplifier - Archived | ETC 知名厂家 | ETC | | |
The RF Line Wideband Linear Amplifier | ETC 知名厂家 | ETC | | |
18.5 dB 0.35-400 MHz 1000 mWATT WIDEBAND LINEAR AMPLIFIER | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Schottky Barrier Diodes FEATURES • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim | POLYFET | | ||
1036- 횞 1010-pixel ccd image sensor 文件：238.9 Kbytes Page：18 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KINGBRIGHT |
23+ |
DIP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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MOTOROLA |
2023+ |
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MACOM |
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23+ |
QFP |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
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MOTOROLA |
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高频管 |
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M/A-COM |
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2019-4-25CA1004-微功耗电压基准
产品说明 在CA1004是两个终端，温度补偿，微功耗带隙电压基准，它提供了一个固定电压的输入电流范围内（10mA至为20mA）。该设备的高稳定性，主要是结果低温度系数薄膜电阻过程和严格的输出电压容差获得通过电阻激光微调在晶圆的水平。这使受益消除了外部电压调整的需要。 订购信息 零件 包装 最大温度系数（百万分之一/℃） 温度范围 CA1004N1(1.2) TO-92 100 0oC to +70oC CA1004BY1(1.2) SOI
2018-12-19CA1524-调整脉宽调制器
特点 •完整的PWM电源控制电路 •独立输出为单端或推挽操作 •线路和负载调节............. 0.2％（典型值） •在整个温度范围1％（最大）振荡器和参考电压变化的内部参考电源 •待机电流小于10mA •超越100kHz的操作频率 •可变输出的死区时间为0.5μs至为5μs •低VCE（SAT）的温度范围内 应用 •正面和负面的稳压电源
2012-12-3CA3273-高边驱动器
CA3273是相当于一个PNP通晶体管电源IC经营作为在任的高边驱动器的电流开关饱和（ON）或截止（关）模式。在CA3273集成的电路保护通过电流，过度输入电压和热过载。高侧驱动器用于通用汽车和潜在高压力应用。如果存在高应力条件下，使用外部齐纳二极管的35V或较少之间的供应和负载终端可能需要防止损坏由于严重的条件，如负载突降，反向电池（和积极或消极的瞬态的）。 CA3273是设计承受的标称电池反向（VBAT=13V）条件，没有永久损坏集成电路。 CA3273是提供修改后的3引脚TO -202塑料功率封装。 应用 •燃油泵驱动器 &#
2012-11-14
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