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C6D20065D1

6thGeneration650V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode

Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED
更新时间:2025-6-25 17:10:00
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