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GeneralPurposeNPNEpitaxialPlanarTransistor

Features •Highbreakdownvoltage,BVCEO≥100V •Largecontinuouscollectorcurrentcapability •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementarytoBCX53M3 •Pb-freeleadplatingpackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2025-5-14 22:58:01
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