型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
C3M0032120J1

Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

Features • 3rd generation SiC MOSFET technology • Optimized package with separate driver source pin • 8mm of creepage distance between drain and source • High blocking voltage with low on-resistance • High-speed switching with low capacitances • Fast intrinsic diode with low reverse recovery

WOLFSPEED

C3M0032120J1

SiC MOS

chipnobo

无边界

C3M0032120J1

1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

WOLFSPEED

C3M0032120J1

Silicon Carbide Power MOSFET

文件:965.68 Kbytes Page:11 Pages

Cree

科锐

更新时间:2025-12-21 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
24+
NA/
900
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
CREE
23+
TO-263-7
3050
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号
CREE
24+
TO247-4
5000
全新原装正品,现货销售
CREE
24+
TO247-4
8000
新到现货,只做全新原装正品
CREE(科锐)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
80000
CREE
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
CREE
24+
TO247-4
5000
十年沉淀唯有原装
WOLFSPE
22+
TO-263-7
800
绝对真实库存 原装正品
CREE
23+
TO-247-4
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

C3M0032120J1数据表相关新闻