Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

高性能Si APD

高响应度、低噪声直通式SPAD\n\nC30902SH系列硅基SPAD提供极低的噪声和大容量暗电流，可实现极高性能的数据采集和距离测量。特别适用于超低光水平检测应用（例如单光子计数和量子通信），并且与小于1 pW的光功率适配。C30902SH-DTC可用于线性模式 (VOP < VBD)，典型增益为250或以上，或用于“盖革”模式（VOP > VBD），具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比率。在这种模式下，不需要放大器，并可实现高达约50%的单光子检测概率。要获得更高性能，这些高性能SPAD可配备单级或双级热电冷却器。\n\n功能与优点：\n\n采用TO-66法兰外壳的0.5 mm Si • 感光面积：0.2 mm²\n• 感光直径：0.5 mm\n• 击穿电压：225 V（典型值）\n• 电容：1.5 pF（典型值）\n• 温度系数：0.7 V/°C（典型值）\n• 暗电流：1 nA\n• 暗噪声：0.02 pA/√Hz\n• 等效噪声功率：0.15 fW/√Hz\n• 典型响应度：800 nm下为135 A/W\n• 推荐增益：250\n• 封装：TO-66，法兰外壳;

Excelitas – C30902SH

Excelitas C30902SH \n\nGeneral Description\n\nThe C30902SH is avalanche photodiode selected for low noise fabricated with a double-diffused “reach-through” structure. This structure provides high responsivity between 400 and 1000 nm as well as extremely fast rise and fall times at all wavelengths. T

高性能Si APD

高响应度、低噪声直通式SPAD\n\nC30902SH系列硅基SPAD提供极低的噪声和大容量暗电流，可实现极高性能的数据和距离测量。特别适用于超低光水平检测应用（例如单光子计数和量子通信），并且适用于小于1 pW的光功率。C30902SH-TC可用于线性模式 (VOP < VBD)，典型增益为250或以上，或用于“盖革”模式（VOP > VBD），具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比率。在这种模式下，不需要放大器，并可能实现高达约50%的单光子检测概率。要获得更高性能，这些高性能SPAD可配备单级或双级热电冷却器。\n\n\n\n功能与优点：\n\n采用TO-66法兰外壳的0.5 mm • 感光面积：0.2 mm²\n\n• 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：225 V（典型值）\n\n• 电容：1.5 pF（典型值）\n\n• 温度系数：0.7 V/°C（典型值）\n\n• 暗电流：2 nA\n\n• 暗噪声：0.04 pA/√Hz\n\n• 等效噪声功率：0.29 fW/√Hz\n\n• 典型响应度：800 nm下为135 A/W\n\n• 推荐增益：250\n\n• 封装：TO-66，法兰外壳;

封装/外壳：TO-18 包装：带 描述：SI APD, 0.5MM, LOW NOISE/PHOTON 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

封装/外壳：TO-66 包装：散装 描述：SI APD, 0.5MM, TO-66, DUAL-STAGE 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov