150 WATTS (AC) DC/DC SINGLE OUTPUT

Features • Single Output • 3U x 14TE x 165mm 12TE: Upon request • Weight 1kg

MAGNETICS FOR RF, POWER,FILTER AND DATA APPLICATIONS

文件：8.35916 Mbytes Page：60 Pages

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

高性能Si APD

用于弱光探测​​​​​​​的低噪声穿透式APD\n\nC30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构。这种结构在400 nm和1000 nm之间提供高响应性，以及在所有波长下的极快上升和下降时间。该器件的响应性在800 MHz以下时通常与调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。光敏表面的有效直径为0.5 mm。\n\nC30902 APD系列还具有单光子能力的APD（SPAD），可在盖革模式和线性模式下大幅提高增益。请参阅我们的C30902SH数据表以了解更多信息。\n\n功能与优点：\n\n采用TO-18外壳的0.5 mm Si APD\n\n高 • 感光面积：0.2 mm²\n• 感光直径：0.5 mm\n• 击穿电压：225 V（典型值）\n• 结电容：1.5 pF\n• 温度系数：0.7 V/°C（典型值）\n• 暗电流：7 nA\n• 暗噪声：0.1 pA/√Hz\n• 等效噪声功率：1.23 fW/√Hz\n• 典型响应度：905 nm下为66 A/W\n• 推荐增益：150\n• 封装：TO-18，平面窗口，滤光片;

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

高性能Si APD

高响应度、低噪声直通式SPAD\n\nC30902SH系列硅基SPAD提供极低的噪声和大容量暗电流，可实现极高性能的数据和距离测量。特别适用于超低光水平检测应用（例如单光子计数和量子通信），并且适用于小于1 pW的光功率。C30902SH-2可用于线性模式 (VOP < VBD)，典型增益为250或以上，或用于“盖革”模式（VOP > VBD），具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比率。在这种模式下，不需要放大器，并可实现高达约50%的单光子检测概率。要获得更高性能，这些高性能SPAD可配备单级或双级热电冷却器。\n\n功能与优点：\n\n0.5mm 直径Si-APD，采用TO-18封装\ • 感光面积：0.2 mm²\n\n• 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：225 V（典型值）\n\n• 电容：1.5 pF（典型值）\n\n• 温度系数：0.7 V/°C（典型值）\n\n• 暗电流：7 nA\n\n• 暗噪声：0.1 pA/√Hz\n\n• 等效噪声功率：0.74 fW/√Hz\n\n• 典型响应度：900 nm下为110 A/W\n\n• 推荐增益：250 \n\n• 封装：TO-18，平面窗口;

高性能Si APD

高响应度、低噪声直通式SPAD\n\nC30902SH系列硅基SPAD提供极低的噪声和大容量暗电流，可实现极高性能的数据采集和距离测量。特别适用于超低光水平检测应用（例如单光子计数和量子通信），并且与小于1 pW的光功率适配。C30902SH-DTC可用于线性模式 (VOP < VBD)，典型增益为250或以上，或用于“盖革”模式（VOP > VBD），具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比率。在这种模式下，不需要放大器，并可实现高达约50%的单光子检测概率。要获得更高性能，这些高性能SPAD可配备单级或双级热电冷却器。\n\n功能与优点：\n\n采用TO-66法兰外壳的0.5 mm Si • 感光面积：0.2 mm²\n• 感光直径：0.5 mm\n• 击穿电压：225 V（典型值）\n• 电容：1.5 pF（典型值）\n• 温度系数：0.7 V/°C（典型值）\n• 暗电流：1 nA\n• 暗噪声：0.02 pA/√Hz\n• 等效噪声功率：0.15 fW/√Hz\n• 典型响应度：800 nm下为135 A/W\n• 推荐增益：250\n• 封装：TO-66，法兰外壳;

Large Area Silicon Avalanche Photodiode for General-Purpose Applications

[EG&G CANADA LTD.] Large Area Silicon Avalanche Photodiode for General-Purpose Applications

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

Anchor, Tool, Earth Probe Kit

文件：372.26 Kbytes Page：1 Pages

Anchor, Tool, Probe extension only

文件：355.63 Kbytes Page：1 Pages

封装/外壳：TO-18-2 金属罐 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SI APD 0.5MM HIGH RESPONSE TO-18 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

封装/外壳：TO-18 包装：带 描述：SI APD, 0.5MM, TO-18 HIGH RESPON 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

Photodiode-Preamplifier Module

文件：623.54 Kbytes Page：3 Pages

Photodiode

文件：1.35018 Mbytes Page：6 Pages

Photodiode

文件：1.35018 Mbytes Page：6 Pages

Photodiode

文件：1.35018 Mbytes Page：6 Pages

N TYPE SILICON P- I - N PHOTODETECTOR

文件：522.309 Kbytes Page：2 Pages

Amplifier Transistors(PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(3.0A,70-100V)

5-Volt Regulator

文件：252.69 Kbytes Page：8 Pages

5-Volt Regulator

文件：252.69 Kbytes Page：8 Pages

5-Volt Regulator

文件：252.69 Kbytes Page：8 Pages