Large-Area InGaAs Photodiodes

Description The PerkinElmer family of large-area InGaAs PIN photodiodes provide high responsivity from 800 nm to 1700 nm for applications including optical power meters, fiber optic test equipment, near-IR spectoscopy and instrumentation. All devices are planar passivated and feature low capaci

铟镓砷PIN光电二极管

功能与优点：\n\n提供超低电容选择 \n\n在1300 nm和1550 nm处响应度高\n\n感光面直径：0.5 mm\n\n大动态范围内的高线性度\n\n提供各种完善的TO封装\n\n可以进行封装定制（例如添加TEC）\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n光功率计\n\n光纤测试通讯\n\n近IR光谱\n\n激光仿形台\n\n仪器\n\nLiDAR • 击穿电压：>20 V\n• 工作电压：5 V\n• 全耗尽电容：6 pF\n• 暗电流（5V时）：0.3nA\n• 暗噪声：0.02 pA/√Hz\n• 封装：TO-18\n• 在1300和1550 nm具有高响应度\n• 响应度：• 850 nm时为0.20 A/W\n• 1300 nm时为0.90 A/W\n• 1550 nm时为0.95 A/W;

铟镓砷PIN光电二极管

功能与优点：\n\n超低电容 \n\n在1300 nm和1550 nm处响应度高\n\n感光面直径：0.5 mm\n\n大动态范围内的高线性度\n\n提供各种完善的TO封装\n\n可以进行封装定制（例如添加TEC）\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n光功率计\n\n光纤测试通讯\n\n近IR光谱\n\n激光仿形台\n\n仪器\n\nLiDAR • 击穿电压：>20 V\n• 工作电压：5 V\n• 全耗尽电容：2 pF\n• 暗电流（5V时）：0.3nA\n• 暗噪声：0.02 pA/√Hz\n• 封装：TO-18\n• 在1300和1550 nm具有高响应度\n• 响应度：• 850 nm时为0.20 A/W\n• 1300 nm时为0.90 A/W\n• 1550 nm时为1.05 A/W;

封装/外壳：TO-18-2 金属罐 包装：带 描述：INGAAS PIN, 0.5MM, TO-18, GLASS 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管