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SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·RDS(ON)= 1.4Ω(MAX)@VGS=20V Tj=25℃ ·High Speed Switching with Low Capacitance ·Easy to Parallel and Simple to Drive APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·High-voltage Capacitive Loads ·Motor drives

ISC

无锡固电

Silicon Carbide Power MOSFET C2M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

Features • High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS(on) • Easy to Parallel and Simple to Drive • Ultra-low Drain-gate capacitance • Halogen Free, RoHS Compliant Benefits • Higher System Efficiency • Increased System Switching Frequency • Reduced Cool

WOLFSPEED

Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET

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Cree

科锐

Silicon Carbide Power MOSFET

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Cree

科锐

更新时间:2025-10-20 18:18:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NA
23+
NA
26094
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
CREE/科锐
22+
TO-247
12500
原装正品支持实单
CREE
22+
TO-247-3
3000
原装进口支持检测
Wolfspeed, Inc.
25+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
CREE(科锐)
24+
N/A
17048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
CREE
2450+
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6540
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CREE(科锐)
2526+
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CREE/科锐
22+
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CREE
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1800
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CREE
24+
TO247-3
4500
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号

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