C2M0080120D价格

参考价格:¥105.8532

型号:C2M0080120D 品牌:Cree 备注:这里有C2M0080120D多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,C2M0080120D批发/采购报价,C2M0080120D行情走势销售排行榜,C2M0080120D报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
C2M0080120D

CREESiliconCarbideMOSFETEvaluationKit

Description: ThisEvaluationkitismeanttodemonstratethehighperformanceofallCREE1200VMOSFETsandCREESchottkydiodes(SBD)instandardTO-247package.ThekitincludestwoCree80mOhm,1200VCREEMOSFETsandtwo1200V20Aschottkydiodes;ahalfbridgeconfiguredevaluationboardthat

CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree
C2M0080120D

SiliconCarbidePowerMOSFETC2MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode

Features •HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances •EasytoParallelandSimpletoDrive •AvalancheRuggedness •HalogenFree,RoHSCompliant Benefits •HigherSystemEfficiency •ReducedCoolingRequirements •IncreasedPowerDensity •

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED
C2M0080120D

SiliconCarbidePowerMOSFETZ-FETTMMOSFET

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

SiliconCarbidePowerMOSFET

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

C2M0080120D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    C2M0080120D

  • 功能描述

    MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-18 21:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE/科锐
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CREE/科锐
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原装/可含税
CREE
2019
TO-247
19700
INFINEON品牌专业原装优质
CREE(科锐)
2023+
N/A
4550
全新原装正品
CREE
1926+
TO-247
585
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
Cree/Wolfspeed
23+
TO2473
9000
原装正品,支持实单
CREE
22+
TO247
10000
原装正品
CREE
21/23+
TO-247
12585
全新原装现货
Cree
23+
TO-247
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
CREE/科锐
23+
NA/
21
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