型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES ■ 20V, 6.5A, RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 43mΩ @VGS = 2.5V. ■ -20V, -4.8A, RDS(ON) = 55mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -2.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capabi | CET 华瑞 | |||
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 20V, 6.5A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 43mW @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. -20V, -4.8A, RDS(ON) = 55mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 90mW @VGS = -2.5V. Lead-free plating ; R | CET-MOS 华瑞 | |||
18 MHz Center Frequency 文件:69.02 Kbytes Page:3 Pages | KR | |||
Hi-Current, 15.00 Centers 文件:1.017 Mbytes Page:1 Pages | EATON 伊顿 | |||
ARM9 microcontroller with CAN, LIN, and USB | ETC 知名厂家 | ETC |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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HAMOS/汉姆 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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VB |
25+ |
SOP-8 |
5468 |
原装正品,假一罚十! |
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VBsemi |
21+ |
SOP8 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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TI |
24+ |
QFN |
18766 |
公司现货库存,支持实单 |
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CET |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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Bychip |
23+ |
SOP8 |
10000 |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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CETSEMI |
SOP-8 |
35500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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CET |
24+ |
5000 |
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VBsemi |
24+ |
SOP8 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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SR |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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2021-6-5C2M0040120D 碳化硅功率MOSFET SIC 深圳市正纳电子有限公司
C2M0040120D
2020-12-23C1CB00002620
C1CB00002620,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-11C2012X5R1A225M-60毫安稳压电荷泵电压逆变器
TPS6040x是一个系列器件产生一个不受管制的负输出电压的输入电压范围从1.6 V至5.5 V的设备通常提供了5 V或3.3 V由于preregulated供应铁路宽输入电压范围,两个或三个镍镉,镍氢电池或碱性电池,以及一个锂离子电池动力的。只有三个外部1μF电容需要构建一个完整的电荷泵DC / DC逆变器。组装在5引脚SOT23封装,完整的转换器,可以建在一个50平方毫米的电路板面积。额外的电路板面积元件数量的减少是通过取代肖特基二极管,通常需要启动成积体电路的负荷。TPS6040x能够以一个典型的转换效率,更大的一个最大输出电流60毫安在很宽的输出电流范围内超过90%。 3与20千赫,5
2012-12-28
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