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C20T03QL

SchottkyBarrierDiode

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NIECNihon Inter Electronics Corporation

Nihon Inter Electronics Corporation

NIEC

SchottkyBarrierDiode

FEATURES *TablessTO-220 *DualDiodes–CathodeCommon *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation

NIECNihon Inter Electronics Corporation

Nihon Inter Electronics Corporation

NIEC

SchottkyBarrierDiode

FEATURES *SQUARE-PAKTO-263AB(SMD) Packagedin24mmTapeandReel *DualDiodes–CathodeCommon *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation

NIECNihon Inter Electronics Corporation

Nihon Inter Electronics Corporation

NIEC

SchottkyBarrierDiode

FEATURES *TablessTO-220 *DualDiodes–CathodeCommon *LowForwardVoltageDrop *HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation

NIECNihon Inter Electronics Corporation

Nihon Inter Electronics Corporation

NIEC

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

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NI

National Instruments Inc.

NI

SBD

文件:139.76 Kbytes Page:1 Pages

NI

National Instruments Inc.

NI

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP20T03GJ)isavailableforlow-profileapplications.

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP20T03GJ)isavailableforlow-profileapplications.

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

C20T03QL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    C20T03QL

  • 制造商

    NIEC

  • 制造商全称

    Nihon Inter Electronics Corporation

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2024-4-19 8:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NIEC
20+/21+
TO-263
8530
全新原装进口价格优势
NIHON
2020+
SOT-263
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
NIECNihon
20+
TO-263
15800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
NIEC
10+
TO-263
340
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NIEC
21+
TO-263
1625
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!
NICE
360000
原厂原装
1305
NIEC
23+
TO-263
25000
专做原装正品,假一罚百!
NIHON
23+
NA/
889
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NIEC
21+
TO-263
340
原装现货假一赔十
2018+
TO263
6528
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心

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    C2M0040120D

    2020-12-23
  • C1CB00002620

    C1CB00002620,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-11
  • C2012X5R1A225M-60毫安稳压电荷泵电压逆变器

    TPS6040x是一个系列器件产生一个不受管制的负输出电压的输入电压范围从1.6V至5.5V的设备通常提供了5V或3.3V由于preregulated供应铁路宽输入电压范围,两个或三个镍镉,镍氢电池或碱性电池,以及一个锂离子电池动力的。只有三个外部1μF电容需要构建一个完整的电荷泵DC/DC逆变器。组装在5引脚SOT23封装,完整的转换器,可以建在一个50平方毫米的电路板面积。额外的电路板面积元件数量的减少是通过取代肖特基二极管,通常需要启动成积体电路的负荷。TPS6040x能够以一个典型的转换效率,更大的一个最大输出电流60毫安在很宽的输出电流范围内超过90%。3与20千赫,5

    2012-12-28