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C10150_15

Designed for back-thinned CCD area image sensor

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HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

10.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers

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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor

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MA-COM

10.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers

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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

10A SBR짰 SUPER BARRIER RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

更新时间:2025-8-10 20:00:00
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