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BZY55C9V1	500mW,5ToleranceSMDZenerDiode 文件：299.26 Kbytes Page：3 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
BZY55C9V1	5ToleranceSMDZenerDiode 文件：241.74 Kbytes Page：5 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
BZY55C9V1 RYG	封装/外壳：0805（2012 公制）包装：卷带（TR）描述：DIODE ZENER 9.1V 500MW 0805 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
BZM55C9V1	SiliconEpitaxialPlanarZ-Diodes Features ●Savingspace ●Hermeticsealedparts ●FitsontoSOD323/SOT23footprints ●ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55C.../TZMC... ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances A	VishayVishay Siliconix 威世科技
BZM55C9V1	SILIICONPLANARZENERDIODES SILIICONPLANARZENERDIODES LS-31(MICRO-MELF) GLASSPACKAGE	CDIL CDIL
BZM55C9V1	SmallSignalZenerDiodes Features •Savingspace •Hermeticsealedparts •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55..Series/TZM..Series •FitsontoSOD-323/SOD-110footprints •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •Availablewithtightertoleranc	VishayVishay Siliconix 威世科技
BZM55C9V1	SURFACEMOUNTZENERDIODEVOLTAGERANGE2.4to47VoltsPOWERRATING500mWatts 文件：460.34 Kbytes Page：5 Pages	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
BZM55C9V1	SmallSignalZenerDiodes 文件：173.9 Kbytes Page：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技

BZY55C9V1产品属性

类型
描述
型号
BZY55C9V1
功能描述
稳压二极管 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 %/K
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
DO-214AC
封装
Reel

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更新时间：2024-5-22 9:10:00

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C0402X332K050THOLYSTONEENTERPRISECO.LT20+标准封装 C09131D0071012AMPHENOLINDUSTRIALPRODUC20+标准封装 C1000015504375COTHER20+标准封装 C1608X7R1H332KTDK20+标准封装 C19D413917G4375OTHER20+标准封装 C19D903205P2375OTHER20+标准封装 C3820023000375OTHER20+标准封装 C6090546001375O
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主要品牌包含：TE、MOLEX、FUJITSU、SCHNEIDER、OMRON、ALPS、Schaffner、LITTLEFUSE、C&K、DELTA、ZF、CHERRY、COTO、EATON、IDEC、HONGFA、ABB等详询：张先生，QQ3002401353，电话18963018956！
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BZY55C2V4:500MW,5%的容差贴片稳压二极管1.宽齐纳电压选择范围：2.4V至36V2.表面设备安装3.湿度灵敏性水平14.雾锡（Sn）与镍（Ni）underplate率先完成5.无铅版本，并符合RoHS标准6.无卤素机械数据案例：0805标准封装，注塑终端：雾锡电镀，无铅，可焊性。根据MIL-STD-202方法208保证保证高温焊接：260°C/10s极性：正极乐队表示重量：0
2012-11-5

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