型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUZ80A

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor ● Typical RDS(on)=2.5 Ω ● AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ● 100 AVALANCHE TESTED ● REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100℃ ● LOW INPUT CAPACITANCE ● LOW GATE CHARGE ● APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ● HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCH

ARTSCHIP

BUZ80A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive,

ISC

无锡固电

BUZ80A

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode

SIEMENS

西门子

BUZ80A

Drain source voltage

FAST POWER MOS TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BUZ80A

SEMICONDUCTORS

文件:2.43533 Mbytes Page:31 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BUZ80A

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

Infineon

英飞凌

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor ● Typical RDS(on)=2.5 Ω ● AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ● 100 AVALANCHE TESTED ● REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100℃ ● LOW INPUT CAPACITANCE ● LOW GATE CHARGE ● APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ● HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCH

ARTSCHIP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive,

ISC

无锡固电

BUZ80A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUZ80A

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-24 23:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
24+
TO-220AB
27500
原装正品,价格最低!
BROADCOM
24+
QFN
6618
公司现货库存,支持实单
ST/意法
24+
NA/
13818
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
25+
TO220
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
英飞凌
20+
TO-220F
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST/意法
24+
TO220
990000
明嘉莱只做原装正品现货
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
inf
24+
13523
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INFINEON
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