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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
BUV25	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.6V(Max.)@IC=6A ·HighPowerDissipation ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=500V(Min.) APPLICATIONS ·Designedforuseinpowerswitchingapplicationsinmilitaryandindustrialequipments.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BUV25	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.29 Kbytes Page：1 Pages	SEME-LAB Seme LAB

BUV25供应商更多...

更新时间：2024-4-19 19:58:00

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