型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BUV22_06

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

2.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features ● Schottky Barrier Chip ● Ideally Suited for Automatic Assembly ● Low Power Loss, High Efficiency ● Surge Overload Rating to 50A Peak ● For Use in Low Voltage Application ● Guard Ring Die Construction ● Plastic Case Material has UL Flammability Classification Rating 94V-O

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星电子股份有限公司

General Power Transformer Pin Type: EI >Series>

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SUMIDASumida America Components Inc.

胜美达电子

Low Power Transformers Dual Primary - Dual secondary 115/230 Volts

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

2.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件:46.83 Kbytes Page:4 Pages

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星电子股份有限公司

BUV22_06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUV22_06

  • 制造商

    ONSEMI

  • 制造商全称

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

更新时间:2025-8-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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TO204
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现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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