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BULD25DR

NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE

description The new BULDxx range of transistors have been designed specifically for use in High Frequency Electronic Ballasts (HFEB’s). This range of switching transistors has tightly controlled storage times and an integrated fast trr anti-parallel diode. The revolutionary design ensures that th

POINN

BULD25DR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BULD25DR

  • 制造商

    POINN

  • 制造商全称

    Power Innovations Ltd

  • 功能描述

    NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE

更新时间:2025-11-3 23:00:00
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