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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BULD1101ET4 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Description The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand an high collector current level d | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
BULD1101ET4 | High voltage fast-switching NPN Power Transistor Description The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand an high collector current level d | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
BULD1101ET4产品属性
- 类型
描述
- 型号
BULD1101ET4
- 功能描述
两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+23+ |
TO252 |
73651 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ST |
04+ |
TO252 |
2512 |
||||
ST |
2018+ |
TO-252 |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
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ST |
23+ |
TO252 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
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ST |
24+/25+ |
TO252 |
12500 |
原装正品现货库存价优 |
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ST |
2511 |
TO252 |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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ST |
2026+ |
TO252 |
2500 |
原装正品,假一罚十! |
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ST |
23+ |
TO252 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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ST/意法 |
23+ |
SOT252 |
7000 |
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INFINEON |
24+ |
SOT-23 |
9987 |
公司现货库存,支持实单 |
BULD1101ET4规格书下载地址
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2019-11-17
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