型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUL65A

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

BUL65A

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

BUL65A

ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN

文件:24.38 Kbytes Page:2 Pages

SEME-LAB

BUL65A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL65A

  • 制造商

    SEME-LAB

  • 制造商全称

    Seme LAB

  • 功能描述

    ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN

更新时间:2025-12-26 8:58:00
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