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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BUL64B | Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter | ISC 无锡固电 |   | |
BUL64B | Bipolar Junction Transistors | TTELEC | | |
BUL64B | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：19.35 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | |
BUL64B产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUL64B
- 制造商
SEME-LAB
- 制造商全称
Seme LAB
- 功能描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
蓝箭 |
2015+ |
TO92 |
19898 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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只做原装,质量保证 |
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ST |
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TO220 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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ST |
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TO220ABNONISOL |
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330000 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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蓝箭 |
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2019-11-17
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