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BU808DFI晶体管资料
BU808DFI别名：BU808DFI三极管、BU808DFI晶体管、BU808DFI晶体三极管
BU808DFI生产厂家：德国电子元件股份公司
BU808DFI制作材料：Si-N+Darl+Di
BU808DFI性质：3PH_MOTOT_输出极 （E）
BU808DFI封装形式：直插封装
BU808DFI极限工作电压：1500V
BU808DFI最大电流允许值：12A
BU808DFI最大工作频率：<1MHZ或未知
BU808DFI引脚数：3
BU808DFI最大耗散功率：160W
BU808DFI放大倍数：
BU808DFI图片代号：B-70
BU808DFIvtest：1500
BU808DFIhtest：999900
- BU808DFIatest：12
BU808DFIwtest：160
BU808DFI代换 BU808DFI用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BU808DFI | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON DESCRIPTION The BU808DFI is a NPN transistor in monolithic Darlington configuration. It is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITH INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
BU808DFI | 封装/外壳：ISOWATT-218-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON 文件：1.1892 Mbytes Page：5 Pages | SUNSPIRIT | | ||
Audio Broadcast Quality 800A Series Features Deep-drawn steel case with tin plated finish, with two convenient 6-32 mounting studs with hardware. Includes wire leads (minimum length of 4). Frequency response +/- 0.5 db max. from 50 Hz. to 15 Khz. Insertion loss of apx. 1 db. Maximum power level +15 dbm. (except 841A, 842A & 84 | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | | ||
Subminiature Fuses 文件：189.7 Kbytes Page：4 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
Erem 5 Integrated Circuit Maintenance Tool for up to 32 Pins 文件：49.36 Kbytes Page：1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | | ||
Printed circuit boards and components, safety and control systems 文件：136.96 Kbytes Page：2 Pages | ETAL | | ||
ALPHA-NUMERIC DISPLAY 文件：79.92 Kbytes Page：1 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | |
BU808DFI产品属性
- 类型
描述
- 型号
BU808DFI
- 功能描述
达林顿晶体管 NPN Sw Darlington
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
13105 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
INTEL |
23+ |
TSOP |
12000 |
全新原装假一赔十 |
|||
ST |
24+ |
TO-3P |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
|||
ST/ |
22+23+ |
TO-247 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
|||
ST |
25+ |
TO-3P |
9855 |
原装正品,假一罚十! |
|||
ST/意法 |
24+ |
DO-3P |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ST |
1932+ |
TO-3PF |
217 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST |
25+ |
QFP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
ST |
21+ |
TO-3PF |
1105 |
原装现货假一赔十 |
|||
ST |
24+ |
TO-3P |
27500 |
原装正品,价格最低! |
BU808DFI芯片相关品牌
BU808DFI规格书下载地址
BU808DFI参数引脚图相关
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