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BU508DR晶体管资料

  • BU508DR别名:BU508DR三极管、BU508DR晶体管、BU508DR晶体三极管

  • BU508DR生产厂家

  • BU508DR制作材料:Si-N+Di

  • BU508DR性质:+INTEGR_DIODE

  • BU508DR封装形式:直插封装

  • BU508DR极限工作电压:1500V

  • BU508DR最大电流允许值:8A

  • BU508DR最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BU508DR引脚数:3

  • BU508DR最大耗散功率:125W

  • BU508DR放大倍数

  • BU508DR图片代号:B-70

  • BU508DRvtest:1500

  • BU508DRhtest:999900

  • BU508DRatest:8

  • BU508DRwtest:125

  • BU508DR代换 BU508DR用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)

HORIZONTAL DEFLECTION TRANSISTOR

MOSPEC

统懋

POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)

HORIZONTAL DEFLECTION TRANSISTOR

MOSPEC

统懋

POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)

HORIZONTAL DEFLECTION TRANSISTOR

MOSPEC

统懋

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,600-1000V)

MOSPEC

统懋

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(5.0A,70-100V)

Schottky Barrier Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and

MOSPEC

统懋

BU508DR产品属性

  • 类型

    描述

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

更新时间:2026-5-14 22:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
SANYO/三洋
25+
TO-3P
45000
SANYO/三洋全新现货BU508A即刻询购立享优惠#长期有排单订
PHI
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6772
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货
ST(意法)
25+
ISOWATT218FX
18798
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
恩XP
24+
TO-3P
8100
绝对原装现货,价格低,欢迎询购!
ST/意法
25+
TO-3P
5715
只做原装 有挂有货 假一罚十
恩XP
24+
TO-3PF
8900
全新原装现货,假一罚十
三洋/ST
11+1718+
TO-3P
5763
超声波设备/口罩机设备多种功率三极管原厂原装正品
GD
23+
TO-3P
56000
SPTECH
23+
TO-3PN
8860
受权代理!全新原装现货特价热卖!

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