| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead | TUOFENG 拓锋半导体 |   | ||
Ultra Precision Bulk Metal Film Resistors 文件：132.97 Kbytes Page：2 Pages | WELWYN | | ||
Metal Film Resistors Metal Film Resistors 文件：425.84 Kbytes Page：3 Pages | TTELEC | | ||
Category 6 Enhanced Cable, 4 Pair, U/UTP, CMR 文件：284.1 Kbytes Page：3 Pages | BELDEN 百通 | | ||
Ideal resistor for precision instrumentation 文件：410.61 Kbytes Page：3 Pages | TTELEC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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HSOP |
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ST |
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2023-9-8BU2506FV-E2
品 牌： ROHM(罗姆) 厂家型号： BU2506FV-E2 商品编号： C184386 封装： SSOP-B20 数据手册： 下载文件 商品毛重： 0.199克(g) 包装方式： 编带
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BU4S66G2，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
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