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BTS612N1E3230

Smart Two Channel Highside Power Switch

General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circui

Infineon

英飞凌

BTS612N1E3230产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BTS612N1E3230

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

更新时间:2026-1-6 8:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
7000
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
TO-220-7
22+
10000
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
Infineon
24+
TO:220-7
58600
原装正品 特价现货(香港 新加坡 日本)
INF
18+
TO-220
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
INFINEON
23+
TO-220-7
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
INFINEON
2007
TO220-7
14
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON
20+
TO-220-7
20500
汽车电子原装主营-可开原型号增税票
INFINEON
25+
TO-220-7
600
原装正品,假一罚十!
INFINEON
2018+
TO220-7
26976
代理原装现货/特价热卖!

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