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BTN1053I3

NPN Epitaxial Planar Transistor

Features • Excellent HFE Characteristics up to 1A • Low Saturation Voltage, VCE(sat)=0.11V(typ)@IC=1A, IB=50mA • 5A peak pulse current • Pb-free lead plating and halogen-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

BTN1053I3

Bipolar Transistor

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2026-3-13 8:01:00
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