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BTD5213J3

General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor

Features • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage, VCEO=80V (min.) • High collector current, IC(max)=1A (DC) • Pb-free lead plating package

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-8-16 8:02:00
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