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BTD2498N3

High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor

High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor Built-in Base Resistor Description • High breakdown voltage. (BVCEO=400V) • Low saturation voltage, typical VCE(sat) =0.13V at Ic/IB =20mA/1mA. • Complementary to BTB1498N3 • Pb-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-8-16 22:30:00
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