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BTD2114N3

High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor

High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor AUDIO MUTING APPLICATION Features • High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min). • High DC current gain, hFE=1200(min.) @VCE=3V, IC=10mA. • Low VCESAT, VCESAT=0.16V typ. @ IC=500mA, IB=20mA. • Pb-free and halogen-free package.

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-8-12 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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