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BTD1782N3

General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor

Description The BTD1782N3 is designed for use in driver and output stages of AF amplifier and general purpose application. Features • Low VCE(SAT), VCE(SAT)= 0.15V(typ) @IC=500mA/IB=50mA • High breakdown voltage, VCEO=80V (min.) • Complements to BTB1198N3 • Pb-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-8-16 15:28:00
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