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HighVoltageNPNEpitaxialPlanarTransistor

Features •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=400V) •Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=0.1VatIC/IB=10mA/1mA. •ComplementarytoBTA1759N3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC

HighVoltageTransistor(NPN)

Features Highbreakdownvoltage.(BVceo=400V) Lowsaturationvoltage,typicallyVce(sat)=0.1VatIc/Ib=10mA/1mA

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP
更新时间:2024-6-23 19:07:01
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