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High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor

Features • High breakdown voltage. (BVCEO =400V) • Low saturation voltage, typically VCE(sat) =0.1V at IC/IB=10mA/1mA. • Complementary to BTA1759M3 • Pb-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-12-28 14:16:01
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