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BSZ010NE2LS5

丝印代码:10NE2L5;OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V

文件:1.07526 Mbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

BSZ010NE2LS5

采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25 V 功率 MOSFET,提高效率

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更新时间:2026-3-12 9:48:00
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