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BSZ009NE2LS5

丝印代码:09NE2L5;OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V

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INFINEON

英飞凌

BSZ009NE2LS5

采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25V 功率 MOSFET,可进一步提高性能

INFINEON

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current--ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage--VDSS= 25V(Min) APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·UPS ·Motor Control

ISC

无锡固电

丝印代码:09NE2LS5;Optimized for high performance buck converters

文件:1.54909 Mbytes Page:13 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印代码:09NE2L5I;Optimized for high performance buck converters

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INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-3-15 23:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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INFINEON/英飞凌
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Infineon Technologies
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原装正品,提供BOM配单服务

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