BSS4晶体管资料

  • BSS40别名:BSS40三极管、BSS40晶体管、BSS40晶体三极管

  • BSS40生产厂家:美国得克萨斯仪表公司_德国凡尔伏公司

  • BSS40制作材料:Si-NPN

  • BSS40性质:开关管 (S)_TR

  • BSS40封装形式:直插封装

  • BSS40极限工作电压:60V

  • BSS40最大电流允许值

  • BSS40最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BSS40引脚数:3

  • BSS40最大耗散功率:0.36W

  • BSS40放大倍数

  • BSS40图片代号:D-8

  • BSS40vtest:60

  • BSS40htest:999900

  • BSS40atest:0

  • BSS40wtest:0.36

  • BSS40代换 BSS40用什么型号代替:BSS26,BSW26,BSX49,2N4014,3DG3B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BSS4

BS SMT DIT SWITCH

文件:283.23 Kbytes Page:6 Pages

BITECH

PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR

PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR TO-39 Metal Can Package

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

SILICON PNP TRANSISTOR

DESCRIPTION The BSS44 is a silicon epitaxial planar PNP transistor in Jedec TO-39 metal case. It is used for high-current switching and power applications up to 5 A. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ PNP TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)

Central

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)

Central

General purpose amplification (30V, 1A)

文件:1.49929 Mbytes Page:10 Pages

ROHM

罗姆

一般放大用晶体管 (30V, 1A)

ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 30V 1A SST3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 30V 1A SST3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

Transistors

WILLAS

威伦电子

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

SILICON PNP TRANSISTOR

文件:47.48 Kbytes Page:4 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39

文件:15.35 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

SILICON PNP TRANSISTOR

文件:47.48 Kbytes Page:4 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BS SMT DIT SWITCH

文件:311.44 Kbytes Page:6 Pages

BITECH

BSS4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSS4

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PH
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