Single-channel isolated gate driver IC with adjustable DESAT and soft-off

Features • 600 V, 650 V, 900 V, and 1200 V IGBTs, SiC and Si MOSFETs • 40 V absolute maximum output supply voltage • ±3 A, ±6 A, and ±9 A typical sinking and sourcing peak output current • Separate source and sink outputs for hard switching and with active Miller clamp/clamp driver • Adjustme

丝印代码：SWs；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Vos = 30VIo = 2A Rosin

丝印代码：YFS42；MOSFET

Features VDS (V) = -30V RDS(ON)

20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

丝印代码：YFS；P-channe

Features VDS (V) = -30V RDS(ON)

丝印代码：SWs；OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor

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OptiMOS?? Small-Signal-Transistor

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OptiMOS?? Small-Signal-Transistor

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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

场效应管

OptiMOS??P3 Small-Signal-Transistor

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OptiMOS??P3 Small-Signal-Transistor

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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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丝印代码：YFs；OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor

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