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BSS19晶体管资料

  • BSS19别名：BSS19三极管、BSS19晶体管、BSS19晶体三极管

  • BSS19生产厂家：美国得克萨斯仪表公司

  • BSS19制作材料：Si-NPN

  • BSS19性质：数码驱动 （Nix）

  • BSS19封装形式：直插封装

  • BSS19极限工作电压：120V

  • BSS19最大电流允许值：0.05A

  • BSS19最大工作频率：>50MHZ

  • BSS19引脚数：3

  • BSS19最大耗散功率：0.225W

  • BSS19放大倍数：

  • BSS19图片代号：A-71

  • BSS19vtest：120

  • BSS19htest：50000100

  • BSS19atest：0.05

  • BSS19wtest：0.225

  • BSS19代换 BSS19用什么型号代替：BF297,BF298,BF299,BF422,BFR86,BSS38,BSV29,BSX21,2N5550,3DG180J,

BSS19价格

参考价格：￥0.8450

型号：BSS192 品牌：INFINEON 备注：这里有BSS19多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BSS19批发/采购报价，BSS19行情走势销售排行榜，BSS19报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BSS192

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT89 package. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No secondary breakdown. APPLICATIONS • Line current interrupter in telephone sets • Relay, high-speed and line transformer

PHILIPS

飞利浦

BSS192

SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

SIPMOS ® Small-Signal Transistor • P channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = -0.8...-2.0 V

SIEMENS

西门子

BSS192

丝印代码：KB；240 V, P-channel vertical D-MOS transistor

1. General description P-channel enhancement mode vertical Double-Diffused Field-Effect Transistor (DMOSFET) in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Direct interface to Complementary (C-MOS) transitor and Transisto

NEXPERIA

安世

BSS192

P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor

INFINEON

英飞凌

BSS192P

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件：301.17 Kbytes Page：8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS192P

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-250 V，SOT-89

INFINEON

英飞凌

BSS192P

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件：79.38 Kbytes Page：8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS192P_06

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件：301.17 Kbytes Page：8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS19产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSS19

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

BSS19供应商更多...

更新时间：2026-3-12 20:00:00
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