BSS19晶体管资料
BSS19别名:BSS19三极管、BSS19晶体管、BSS19晶体三极管
BSS19生产厂家:美国得克萨斯仪表公司
BSS19制作材料:Si-NPN
BSS19性质:数码驱动 (Nix)
BSS19封装形式:直插封装
BSS19极限工作电压:120V
BSS19最大电流允许值:0.05A
BSS19最大工作频率:>50MHZ
BSS19引脚数:3
BSS19最大耗散功率:0.225W
BSS19放大倍数:
BSS19图片代号:A-71
BSS19vtest:120
BSS19htest:50000100
- BSS19atest:0.05
BSS19wtest:0.225
BSS19代换 BSS19用什么型号代替:BF297,BF298,BF299,BF422,BFR86,BSS38,BSV29,BSX21,2N5550,3DG180J,
BSS19价格
参考价格:¥0.8450
型号:BSS192 品牌:INFINEON 备注:这里有BSS19多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BSS19批发/采购报价,BSS19行情走势销售排行榜,BSS19报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) SIPMOS ® Small-Signal Transistor • P channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = -0.8...-2.0 V | SIEMENS 西门子 | |||
丝印代码:KB;240 V, P-channel vertical D-MOS transistor 1. General description P-channel enhancement mode vertical Double-Diffused Field-Effect Transistor (DMOSFET) in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Direct interface to Complementary (C-MOS) transitor and Transisto | NEXPERIA 安世 | |||
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT89 package. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No secondary breakdown. APPLICATIONS • Line current interrupter in telephone sets • Relay, high-speed and line transformer | PHILIPS 飞利浦 | |||
P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-250 V,SOT-89 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:; | INFINEON 英飞凌 | |||
P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor | INFINEON 英飞凌 | |||
SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件:79.38 Kbytes Page:8 Pages | INFINEON 英飞凌 | |||
SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件:301.17 Kbytes Page:8 Pages | INFINEON 英飞凌 | |||
SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件:301.17 Kbytes Page:8 Pages | INFINEON 英飞凌 |
BSS19产品属性
- 类型
描述
- OPN:
BSS192PH6327FTSA1/BSS192PH6327XTSA1
- Qualification:
Automotive
- Package name:
PG-SOT89-4/PG-SOT89-4
- VDS max:
-250 V
- RDS (on) @10V max:
12000 mΩ
- QG typ @10V:
-4.9 nC
- Special Features:
Small Power
- Polarity:
P
- Operating Temperature min:
-55 °C
- VGS(th) min:
-1 V
- VGS(th) max:
-2 V
- Technology:
SIPMOS™
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2022-2-17
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