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BSM75GB120DN2价格
参考价格：￥593.3073
型号：BSM75GB120DN2 品牌：INF 备注：这里有BSM75GB120DN2多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BSM75GB120DN2批发/采购报价，BSM75GB120DN2行情走势销售排行榜，BSM75GB120DN2报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSM75GB120DN2 | IGBTPowerModule(Half-bridgeIncludingfastfree-wheelingdiodesPackagewithinsulatedmetalbaseplate) •Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate | SIEMENS Siemens Ltd |  |   |
BSM75GB120DN2 | IGBTPowerModule •Half-bridge •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate | eupeceupec GmbH 欧派克 |  | |
BSM75GB120DN2 | 英飞凌IGBT模块BSM75GB120DN2 文件：261.262 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 105A 625W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
BSM75GB120DN2产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM75GB120DN2
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 75A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
N/A |
100 |
全新原装 |
|||
EUC |
4 |
公司优势库存 热卖中!! |
|||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原装，可配单 |
|||
EUPEC/欧派克 |
22+ |
NA |
1120 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
|||
EUPEC |
23+ |
MODULE |
7750 |
全新原装优势 |
|||
23+ |
N/A |
90650 |
正品授权货源可靠 |
||||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
SEMIKRON |
module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Infineon(英飞凌) |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
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2020-2-23BSM75GB170DN2
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18BSM75GB170DN2
本公司专营各种名牌IC：单片机IC，储存器IC，家电IC，汽车IC，通讯IC，各大世界名牌厂家IC等各种电子元器件封装：贴片（SOP），直插（DIP），四面(QFP)，三极管，二极管，模块，PLCC本店支持配单所有:电源IC，电阻电容电感，开关，USB，插口，二三极管，光藕系列，IC电子元件等等
2019-10-18
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