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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSM200GB120DN2 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate | SIEMENS 西门子 |   | |
BSM200GB120DN2 | IGBT Power Module 文件：180.38 Kbytes Page：11 Pages | eupec | | |
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 290A 1400W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
BSM200GB120DN2产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM200GB120DN2
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC |
6000 |
面议 |
19 |
 专营模块 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
17+ |
IGBT |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MODULE |
60 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
3562 |
||||
INFINEON |
MODULE |
7562 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
||||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
|||
INFINEON |
25+ |
IGBT |
600 |
原厂原装,价格优势 |
|||
IGBT |
1950+ |
980 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
||||
INFINEON |
25+23+ |
MODULE |
34986 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
EUPEC |
22+ |
模块 |
8000 |
原装正品支持实单 |
BSM200GB120DN2芯片相关品牌
BSM200GB120DN2规格书下载地址
BSM200GB120DN2参数引脚图相关
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- c960
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- c901
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- c3055
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- c2073
- c20001
- c2000
- c188
- c1209
- c1008
- c1000
- bul128a
- bul128
- bu406
- BSN254A
- BSN254
- BSN22
- BSN20W
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2025-8-8BSM200GB60DLC
www.hfxcom.com
2022-2-14BSM200GA160DN1S，BSM200GAL120D，BSM200GAR120D，
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2020-3-18BSM75GAL120DN2，BSM75GAR120DN2，BSM75GB120DLC，BSM75GB120DN2
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2020-2-23BSM100GB120DN2K
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2019-10-17
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