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BSM150GB170DN2价格
参考价格：￥1564.9908
型号：BSM150GB170DN2 品牌：INF 备注：这里有BSM150GB170DN2多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BSM150GB170DN2批发/采购报价，BSM150GB170DN2行情走势销售排行榜，BSM150GB170DN2报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSM150GB170DN2 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBT Power Module Preliminary data • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 10 Ohm | SIEMENS 西门子 |   | |
BSM150GB170DN2 | IGBT Power Module IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 10 Ohm | eupec | | |
BSM150GB170DN2 | 英飞凌IGBT BSM150GB170DN2 文件：138.105 Kbytes Page：9 Pages | | ||
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area) IGBT Power Module Preliminary data • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Enlarged diode area • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 10 Ohm | SIEMENS 西门子 | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘托盘 描述：IGBT MOD 1700V 220A 1250W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
BSM150GB170DN2产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM150GB170DN2
- 功能描述
IGBT 模块 1700V 150A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
欧派克 |
23+ |
NA |
6500 |
全新原装假一赔十 |
|||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
3562 |
||||
Infineon/英飞凌 |
1950+ |
980 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
||||
INFINEON/英飞凌 |
12+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
EUPEC |
22+ |
模块 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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EUPEC |
25+ |
MODULE |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
620 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
欧派克 |
24+ |
210 |
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2020-3-18BSM100GB120DN2K
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2019-10-17
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