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BSC005N03LS5_V01

MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 30 V

Features • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • Optimized charges for fast switching • Optimized QGD/QGS for induced turn on ruggedness • Superior thermal resistance • N-channel • 100% avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-

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英飞凌

更新时间:2026-3-10 23:00:00
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