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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSB012NE2LXI | MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Features •OptimizedSyncFETforhighperformanceBuckconverter •IntegratedmonolithicSchottkylikediode •Lowprofile( | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
n-ChannelPowerMOSFET Description OptiMOS™25VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpowerdensityandenergyefficientsolutions.UltralowgateandoutputchargestogetherwithlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS™25Vthebestchoiceforthedemandingrequirementsofvol | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
BSB012NE2LXI产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSB012NE2LXI
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
LV POWER MOS - Tape and Reel
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
MOSFET 25V 1.2 Ohm 170 Amp
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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|||
英飞凌 |
21+ |
DirectFET MX (MG-WDSON-2) |
6000 |
绝对原裝现货 |
|||
INFINEON |
17+PBF |
MG-WDSON |
3039 |
现货 |
|||
infineon |
24+ |
MG-WDSON |
8900000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
MG-WDSON-2 |
10000 |
原装,品质保证,请来电咨询 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
MG-WDSON |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
INFINEON |
21+ |
WDSON-2 |
9866 |
||||
Infineon |
23+ |
标准封装 |
3500 |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
WDSON |
163000 |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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2021-1-7BS83B12-3
BS83B12-3,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取,
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BSC016N04LSG深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7
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