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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) | DIODES 美台半导体 |   | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：139.83 Kbytes Page：3 Pages | DIODES 美台半导体 | |
更新时间：2026-1-3 9:38:01
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