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BAP65-02	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance(lowloss) •Verylowseriesinductance. APPLICATIONS •RFattenuatorsandswitc	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
BAP65-02	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance(lowloss) •Verylowseriesinductance. APPLICATIONS •RFattenuatorsandswitc	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司
BAP65-02	SiliconPINdiode Generaldescription PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage Featuresandbenefits •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Verylowseriesinductance •AEC-Q101qualified Applications •	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BAP65-02	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance(lowloss) •Verylowseriesinductance. APPLICATIONS •RFattenuatorsandswitches •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BAP65-02	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

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更新时间：2024-6-16 16:30:01

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2022-6-30
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