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BM3407A

MOS(场效应管)

Bourns

伯恩斯

MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION The AM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The AM3407 is available in SOT-23 package. FEATURES  VDS = -30V,ID =

AITSEMI

创瑞科技

MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION VDS= -30V VGS= ±20V ID(A)= -4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V The AM3407A is available in SOT-23 package. FEATURES ⚫ Available in SOT-23 p ackage APPLICATION ⚫ Portable Equipment ⚫ Power Management ⚫ Load Switch

AITSEMI

创瑞科技

-4.1A竊?30V P-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

Heyco® PG and Metric Threaded Plugs

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海科

Heyco® PG and Metric Threaded Plugs

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海科

更新时间:2025-9-14 15:15:00
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