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BLT11

NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a 4-pin dual-emitter SOT103 plastic package. FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS • C

Philips

飞利浦

BLT11

NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR

ETC

知名厂家

BLT11产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLT11

  • 制造商

    PHILIPS

  • 制造商全称

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-11-22 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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